Samsung возродила Z-NAND с ускорением до 15 раз относительно обычной NAND

Samsung объявила о возвращении технологии Z-NAND, ориентированной на высокопроизводительные системы и центры обработки данных. Новое поколение обещает до 15-кратного роста скорости по сравнению с традиционной NAND и до 80% меньшего энергопотребления, что явно не будет лишним в случае крупных дата-центров.

Samsung возродила Z-NAND с ускорением до 15 раз относительно обычной NAND

Ключевым нововведением будет технология Direct Storage Access, позволяющая графическому процессору напрямую обращаться к Z-NAND, минуя центральный процессор и оперативную память. Вероятно, это будет что-то типа API DirectStorage от Microsoft для потребительского сегмента. Такой подход снижает задержки и ускоряет обработку больших объёмов данных.

Ранее Z-NAND рассматривалась как конкурент Intel Optane и использовала 48-слойные микросхемы памяти V-NAND SLC с поддержкой уменьшенных страниц размером 2-4 Кбайта, в то время как простые накопители работают со страницами 8-16 Кбайт. Теперь Samsung нацелена на то, чтобы сделать эту память важной частью инфраструктуры дата-центров, обрабатывающих задачи машинного обучения и искусственного интеллекта.

Источник

Читайте также:  ASRock выпустила стабильную прошивку BIOS P4.10, решающую проблему с загрузкой систем

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *