Совместная работа Kioxia и SanDisk привела к созданию десятого поколения памяти NAND, которое значительно превосходит существующие решения по характеристикам.
Новая память включает 332 слоя и поддерживает стандарт интерфейса Toggle DDR6.0. Благодаря этому плотность записи достигла 36.4 Гбит на квадратный миллиметр, а скорость работы — 4.8 Гбит/с. По сравнению с восьмым поколением скорость выросла на 33%, плотность битов — на 59%, а число слоёв — на 38%.
Ещё одно новшество — технология Power Isolated Low-Tapped Termination, снижающая энергопотребление при операциях ввода-вывода. Внутренние тесты показали уменьшение потребления на 10% при вводе данных и на 34% при выводе.
