Комитет инженерной стандартизации полупроводниковой продукции, JEDEC, оповестил общественность об окончании работы над памятью нового поколения HBM4, для чего был опубликован полноценный стандарт JESD270-4.
Новая память предлагает скорость передачи данных 8 Гбит/с на контакт и 2048-битную шину, что дает пропускную способность 2 Тбайта/с. Разработчики будут довольны наличием 32 независимых каналов для большей гибкости и новыми уровнями регулирования напряжения VDDQ (0.7, 0.75, 0.8 и 0.9 В) и VDDC (1.0 и 1.05 В).
Большим плюсом нового поколения HBM можно считать полную совместимость с контроллерами для HBM3, благодаря чему они могут одновременно работать как с HBM3, так и с HBM4. Что касается объема, HBM4 будет выпускаться с 4, 8, 12 и 16 слоями, создавая стеки объемом до 32 Гбайт.
«Высокопроизводительные вычислительные платформы быстро развиваются и требуют инноваций в области пропускной способности и емкости памяти. Разработанный в сотрудничестве с лидерами технологической отрасли, HBM4 призван совершить скачок вперед в области эффективных высокопроизводительных вычислений для искусственного интеллекта и других ускоренных приложений».
